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次世代半導体の量産で新法整備へ 投融資促進や研究開発支援
政府が国産の次世代半導体の量産化に向け、新法整備に向けた具体策を進める方針を固めた。
ラピダスの支援を念頭に置き、次世代半導体の国産化を目指す取り組みが進められている。
ラピダスはIBMから技術供与を受け、2ナノメートルの半導体生産技術の開発を進め、5兆円の投資が必要だとされている。
政府が国産の次世代半導体の量産化に向け、投融資の拡大や研究開発支援などを盛り込んだ新法を整備する方針を固めたことが23日、分かった。経済安全保障の観点から先端技術の競争力強化を図る。北海道で工場を建設しているラピダスの支援が念頭にあり、岸田文雄首相が具体策を詰めるよう関係省庁に近く指示する。
複数の政府関係者が明らかにした。次世代半導体の国産化を目指すラピダスは米IBMから技術供与を受け、回路線幅が2ナノメートル(ナノは10億分の1)相当の半導体生産技術の開発を進める。2027年の量産開始を目指し、5兆円規模の投資が必要だと言われているが、巨額の資金調達が課題となっている。