三菱マテリアルが世界最大級の四角形状シリコン基板開発。半導体分野の生産性向上に寄与
三菱マテリアルは21日、高平坦度かつ低表面粗さを実現した世界最大級の四角形状シリコン基板「角型シリコン基板」を開発したと発表した。
半導体製造工程におけるキャリア基板としての活用や、半導体パッケージのインターポーザー材料としての適用など、半導体分野における生産性向上に貢献できる。
今回開発した角型シリコン基板では、PLPのキャリア基板として用いた場合でも高剛性、高熱伝導という特徴からRDL形成工程における反りも改善できることを確認している。サイズは300ミリ×300ミリ、510ミリ×515ミリ、600ミリ×600ミリなどを用意してある。
三菱マテリアルは21日、高平坦度かつ低表面粗さを実現した世界最大級の四角形状シリコン基板「角型シリコン基板」を開発したと発表した。半導体製造工程におけるキャリア基板としての活用や、半導体パッケージのインターポーザー材料としての適用など、半導体分野における生産性向上に貢献できる。
クラウドサービスやAIの普及に伴い、サーバー用CPUやCPUが高性能化する中、「チップレット」と呼ばれる技術を用いた次世代半導体パッケージの採用が増加している。チップレットを採用した次世代半導体パッケージは、100ミリ角程度まで大型化が進んでいる。半導体パッケージの製造工程において、半導体チップを配置するキャリア基板に従来の径300ミリシリコンウェーハなどを利用するWLP（ウェハー・レベル・パッケージ）ではウェーハの面積が小さく円形状であるため、効率よくパッケージをウェーハ基板に収められないことが課題だった。この課題を解決するにはキャリア基板を四角形状かつ大型化する必要があるが、単結晶のシリコン材料から大型の基板を作ることは技術的に困難なため、キャリア基板に大型のガラスパネルなどを利用したPLP（パネル・レベル・パッケージ）が開発されている。ただ、ガラス基板は剛性が低く、熱伝導率も低いため、再配線層（RDL）形成の際の加熱工程における偏熱や熱収縮で反りが発生することが課題だった。
今回開発した角型シリコン基板では、PLPのキャリア基板として用いた場合でも高剛性、高熱伝導という特徴からRDL形成工程における反りも改善できることを確認している。サイズ（外形）は300ミリ×300ミリ、510ミリ×515ミリ、600ミリ×600ミリなどを用意してある。
