ＡＩブームでＮＡＮＤ市場が再成長…サムスン・ＳＫ、新製品で対抗

◇ＮＡＮＤとＳＳＤの主導権争い

ＡＩ（人工知能）時代で処理しなければならないデータ量が急増し、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ半導体の需要が蘇ったことを受け、サムスン電子とＳＫハイニックス間の次世代製品競争も激しくなっている。

サムスン電子は１２日、業界で初めて容量１Ｔｂ（テラビット）のＱＬＣ（クアッドレベルセル）第９世代垂直型ＮＡＮＤの量産に成功したと発表した。４月に初めてＴＬＣ（トリプルレベルセル）基盤のＮＡＮＤを量産してから４カ月後のことだ。

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリは、電源が切れてもデータが消えない不揮発性メモリ半導体だ。一般的にＤＲＡＭがメインメモリー、ＮＡＮＤが補助メモリとして使われ、ＵＳＢやＳＤカードが一種のＮＡＮＤだ。ＮＡＮＤは、データ保存単位のセル１個に何ビットを入れるかによって、ＱＬＣ（４個）、ＴＬＣ（３個）、ＭＬＣ（２個）、ＳＬＣ（１個）に分けられる。ビット数が増えるほどさらに多くの容量を集積できるため、サムスン電子やＳＫハイニックスなどはＱＬＣ方式のＮＡＮＤ量産に集中する傾向にある。

サムスンが開発したＮＡＮＤは、データセンター用の大容量ＳＳＤ（ソリッドステートドライブ）を作るのに使われる。ＳＳＤはＮＡＮＤを複数搭載し、大容量データを保存する。特に新製品はモールド層を順に積み上げ、一度に電子が移動するホールを作る「チャンネルホールエッチング」技術を活用し、工程を２回行う「ダブルスタック」構造で作られた。サムスン電子は「業界最高段数を実現した」としたが、業界によるとこの製品は２９０段台だという。

ＮＡＮＤはセル駆動回路領域のペリフェラル（ペリ）の上に積む方式だが、サムスン電子によると、この製品はセルとペリの面積を最小化し、以前の製品よりビット密度（単位面積当たり保存されるビット数）を８６％高めた。データ保存性能は以前より２０％上がり、書き込み性能は１００％、データ転送速度は６０％向上した。低電力設計技術でデータ読み取りと書き込み消費電力も約３０％、５０％減らした。

高帯域幅メモリー（ＨＢＭ）でＳＫハイニックスに主導権を奪われたサムスンは、新しい技術と製品を引き続き発売し、ＳＳＤ市場で影響力を拡大していくという戦略だ。ＳＫハイニックスも９世代ＶＮＡＮＤ技術があるが、工程をさらに経るトリプルスタック構造で知られている。４－６月期基準のサムスン電子のＮＡＮＤ市場シェアは３６．９％で、ＳＫハイニックス（ソリダイムを含めて２２．１％）をリードしている。

ＳＫハイニックスはＨＢＭに続き、ＳＳＤでも市場リーダーシップを強化するという戦略だ。前日（１１日）、ＳＫハイニックスは性能を以前より２倍、電力効率を３０％引き上げたデータセンター用高性能ＳＳＤ（ＰＥＢ１１０）を開発し、来年４－６月期から量産すると発表した。新製品は帯域幅が従来に比べ２倍広くなった最新インターフェース（ＰＣＩｅ５世代）規格を適用した。

ＳＫハイニックスは「最高性能が立証された２３８段４Ｄを基盤に開発され、原価と性能品質の側面で業界最高水準の競争力を確保した」とし、「データセンター用ＳＳＤ市場でグローバル１位のＡＩメモリ供給者の地位を強固にするだろう」と述べた。

ＮＡＮＤはＤＲＡＭに比べて相対的に注目されなかった。しかし、ＡＩサーバーに使う企業向けＳＳＤ需要の増加に支えられ、ＮＡＮＤ市場が再び好況期を迎えている。トレンドフォースによると、今年４－６月期のグローバルＮＡＮＤ総売上は約１６７億９７００万ドル（約２兆３７８０億円）で、前四半期より１４．２％増加した。