ファウンドリー・メモリー・パッケージングのワンストップソリューション提供…サムスン、ＡＩチップ逆転劇展開へ

サムスン電子が「人工知能（ＡＩ）時代に最もふさわしいファウンドリーになる」という抱負を明らかにした。ファウンドリー（半導体委託生産）とメモリー半導体、先端パッケージ事業を統合して供給期間を２０％短縮したワンストップソリューションを公開しながらだ。

サムスン電子は１２日（現地時間）、米カリフォルニア州サンノゼにあるサムスン半導体（ＤＳ）部門米州総括社屋で「サムスンファウンドリーフォーラム２０２４」を開き、ファウンドリー技術戦略を公開した。崔時栄（チェ・シヨン）ファウンドリー事業部社長はこの日の基調演説で「サムスン電子は世界で唯一ファウンドリー、メモリー、後工程を一度に提供できる半導体企業」とし「ＡＩ時代に最もふさわしいファウンドリーになる」と明らかにした。

この行事はサムスン電子が２０１６年から主管している年次行事で、ファウンドリー事業の戦略を共有する場だ。サムスン電子はこれまで同行事で自社の先端工程ロードマップを明らかにしてきた。２０２２年に２ｎｍ（ナノメートル、１０億分の１メートル）と１．４ｎｍの工程計画を初めて公開し、昨年は２ｎｍ工程の細部計画も競合する台湾ＴＳＭＣよりも先に知らせた。

サムスン電子は今年、新規最先端工程計画を発表しなかったが、従来の２ｎｍおよび４ｎｍより効率を高めた新工程のＳＦ２ＺとＳＦ４Ｕをそれぞれ追加したと明らかにした。「数字減らし」に焦点を置かず、電力効率化と製品完成度に集中するという戦略だ。崔社長は「ＡＩ革命時代に最も重要なのは高性能・低電力半導体」とし「ＡＩ半導体に最適化したサービスを提供する」と強調した。

サムスン電子は「裏面電源供給（ＢＳＰＤＮ）」技術を適用した２ｎｍ工程ＳＦ２Ｚを２０２７年までに量産すると明らかにした。

ＢＳＰＤＮは電流配線層をウェハー裏面に配置し、電力と信号ラインのボトルネック現象を改善して電力消費を減らす技術。光学的縮小を通じて消費電力と性能・面積を従来の４ｎｍ工程より強化したＳＦ４Ｕは来年量産する予定だ。

ＴＳＭＣが４月に北米技術シンポジウムを開いて２０２６年下半期から１．６ｎｍ工程を量産すると発表したため、業界ではサムスン電子も今回の行事で１ｎｍ台工程の量産時期を操り上げるという予想があった。しかしサムスン電子はこの日、１．４ｎｍを２０２７年に量産するという従来の計画を変えなかった。その代わり「１．４ｎｍ工程で目標にした性能と収率を確保した」と強調した。

ナノ競争の代わりにサムスン電子は総合半導体企業（ＩＤＭ）という長所を活用し、ファウンドリー、メモリー、パッケージを一つのチームで提供するワンストップターンキー（一括）ソリューションで顧客を確保するという戦略を改めて強調した。崔社長は「ゲートオールアラウンド（ＧＡＡ）工程技術と少ない電力でも高速データ処理ができる光学素子技術などを通じて顧客が必要とするワンストップＡＩソリューションを提供する」とし「２０２７年にターンキーソリューションに多様な技術を共に追加して提供する」と明らかにした。サムスン電子によると、ターンキー方式を通じて顧客は２０％以上時間を短縮できる。こうした戦略はグローバル２位挑戦を宣言したインテルのファウンドリーとは相反する方式だ。インテルは他社で生産されたチップもパッケージングするという戦略で顧客を誘致している。

一方、今回の行事にはアーム（ＡＲＭ）のレネ・ハース高経営責任者（ＣＥＯ）、Ｇｒｏｑのジョナサン・ロスＣＥＯなどグローバルテック企業関係者らも出席した。