米国、中国のＡＩ半導体技術アクセス防ぐ…「ＧＡＡとＨＢＭの追加規制検討」
AI要約
米国政府が中国に対する半導体技術アクセスへの追加規制を検討しており、人工知能（AI）に使う最新技術へのアクセスを制限する可能性がある。
規制の対象となる技術には、半導体のフィンフェットの限界を克服するGAAや高性能メモリーであるHBMが含まれている。
規制の強度や範囲はまだ明確ではなく、将来の決定については業界関係者らの意見も分かれている。
米国政府が中国に対する半導体技術アクセスへの追加規制を検討している。人工知能（ＡＩ）に使う半導体技術へのアクセスを防ぐためだ。
ブルームバーグが１１日に報じたところによると、規制議論がされているのはゲートオールアラウンド（ＧＡＡ）と広帯域メモリー（ＨＢＭ）など半導体関連の最新技術だ。
ＧＡＡは半導体の既存トランジスター構造であるフィンフェットの限界を克服できる技術だ。エヌビディアやインテルなどはサムスン電子や台湾ＴＳＭＣとともに来年にもＧＡＡ技術を使った半導体を大量生産する計画だとブルームバーグは伝えた。
ＨＢＭはいくつかのＤＲＡＭを垂直に積層して作った高性能メモリーだ。ＳＫハイニックス、マイクロンテクノロジーなどが作るこの半導体はＡＩアクセラレータを強化できる。
米国政府の対中輸出制限措置議論で２つの技術のうちＧＡＡが多少リードしているとブルームバーグは消息筋の話として伝えた。
規制の強度と範囲も関心事だ。ＧＡＡ規制が中国独自のＧＡＡチップ開発能力を制限するのに焦点を合わせるのか、そうでなければ米国の半導体企業をはじめ海外企業が中国企業に製品を売ることまで遮断するのかも不明だとブルームバーグは伝えた。業界関係者らはＧＡＡ草案が過度に広範囲だと批判したという。最終的な規制の結論がいつ出るかは決まっていない。
