# EUV

　半導体材料メーカーが、回路の微細化に欠かせない次世代露光技術「EUV」（極端紫外線）向けの設備投資を加速している。生成AI（人工知能）の拡大などを背景に、半導体の高性能化が求められており、回路の微細化が一段と進展。回路パターンをシリコンウエハーに転写する露光技術で、13.5ナノメートルと極端

　三井化学が、半導体ウエハーに回路パターンを転写するのに必要なフォトマスクの防塵カバー「ペリクル」で、回路線幅の微細化で採用が拡大する次世代EUV（極端紫外線）露光対応の製造設備を岩国大竹工場（山口県和木町）に導入する。2025年12月の完工を予定。年産能力は5000枚を計画する。透過率の高い

　オランダの半導体製造装置メーカーであるASMLは、最大トランジスタ密度のチップの設計限界を超える新しいリソグラフィ装置の計画を再度発表した。　ASMLと緊密に協力してきた世界的な研究開発組織であるベルギーのimecによると、ASMLの元プレジデントのMartin van den

三井化学は半導体製造用の次世代露光装置で使われるカーボンナノチューブ（CNT）ペリクルを量産する。岩国大竹工場（山口県和木町）に生産設備を設け、2025年12月に完工する予定。生産能力は年5000枚で、投資額は非公表。拡大する先端半導体需要に対応する。ペリクルはフォトマスク（半導

　三井化学は2024年5月28日、半導体のさらなる微細化や生産性向上に役立つEUV露光用カーボンナノチューブ（CNT）ペリクルの生産設備を岩国大竹工場（山口県和木町）に設置することを決定したと発表した。　岩国大竹工場で新設するEUV露光用CNTペリクルの生産設備は、年間5000枚