シリコン膜表面をわずかに酸化させ、熱放射を倍増

AI要約

東京大学の研究グループは、シリコン膜の表面を酸化させることで熱放射を倍増させる技術を開発した。

この技術は半導体デバイスにおける放熱や排熱対策に期待されており、熱の管理が重要な課題となっている。

研究では表面フォノンポラリトンを利用してシリコンからの熱放射を増やし、新たな熱輸送メカニズムを確認した。

シリコン膜表面をわずかに酸化させ、熱放射を倍増

テクノロジーシリコン膜熱放射半導体デバイス表面フォノンポラリトン研究

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